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还在为复杂的功率电路布局和效率瓶颈烦恼吗？DMTH6016LSDQ-13双N沟道MOSFET阵列，就是为您简化设计、提升性能的答案。它集成了两个高性能MOSFET，能轻松胜任开关、整流或电机驱动等核心任务，让您的电源管理方案更加紧凑高效。

这颗芯片能为您做什么？它凭借60V的耐压和7.6A的持续电流能力，为您提供坚实的功率处理基础。其关键魅力在于极低的导通电阻（仅19.5毫欧）和优化的开关特性，能显著降低导通与开关损耗，直接提升系统整体能效，并减少发热。无论是空间紧凑的消费电子产品，还是要求严苛的工业设备，它都能帮助您打造出更可靠、更节能的解决方案。

• 型号:DMTH6016LSDQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.6A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19.5 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:864pF @ 30V
• 功率 - 最大值:1.4W，1.9W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• DMTH6016LSDQ-13，Diodes产品一站式供应商。