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还在为电源转换效率难以提升而困扰吗？DMTH62M8SPS-13 MOSFET正是您期待的答案。它专为41V至60V的中压应用优化，能显著降低开关和导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更持久。

这颗芯片采用先进的POWERDI506封装，在提供强大功率处理能力的同时，保持了极小的占板面积。这意味着您不仅能轻松提升整机能效，还能优化PCB布局，为产品设计赢得更多空间。选择它，就是为您的项目选择了高效、可靠与紧凑的完美结合。

• 型号:DMTH62M8SPS-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 毫欧 @ 50A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:95.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4556 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:3.2W
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8（K 类）
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH62M8SPS-13，Diodes产品一站式供应商。