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您是否正在寻找一颗能同时胜任高压开关与信号放大的全能型晶体管？DSM80101M-7正是为您而来的解决方案。它集NPN晶体管与隔离二极管于一体，拥有80V的高耐压和500mA的强电流驱动能力，让您在设计电源电路、电机驱动或控制接口时，轻松应对高压环境，实现高效、可靠的能量切换与信号控制。

这颗芯片的卓越之处在于其极低的能量损耗。仅300mV的饱和压降意味着更少的发热和更高的效率，直接助力您的产品提升能效表现。同时，其宽泛的工作温度范围（-65°C ~ 150°C）确保了在各种严苛环境下都能稳定运行，大幅提升了系统整体的耐用性和可靠性。选择它，就是为您的核心电路选择一个坚实而高效的性能基石。

• 型号:DSM80101M-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
• 描述:TRANS NPN 80V 0.5A SOT-26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:NPN + 二极管（隔离式）
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:500 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:80 V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 10mA，100mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:120 @ 10mA，1V
• 功率 - 最大值:600 mW
• 频率 - 跃迁:-
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-23-6
• 供应商器件封装:SOT-26
• DSM80101M-7，Diodes产品一站式供应商。