我们为全球各个行业提供Diodes DMTH8012LPSQ-13现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能同时征服高效能与高可靠性挑战的功率开关？DMTH8012LPSQ-13正是您的答案。这颗N沟道MOSFET拥有80V耐压和10A连续电流能力，其核心魅力在于超低的17毫欧导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉、更高效。

它专为严苛环境打造，通过AEC-Q101车规认证，工作温度范围宽至-55°C ~ 175°C，是汽车电子（如DC-DC、LED驱动）和工业应用的理想心脏。采用先进的PowerDI5060-8封装，在提供强大散热能力的同时节省宝贵空间。选择它，让您轻松实现更紧凑、更可靠、性能更出众的产品设计。

• 型号:DMTH8012LPSQ-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI5060-8
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 10A PWRDI5060
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Ta），72A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:17 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2051 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.6W（Ta），136W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerDI5060-8
• 封装/外壳:8-PowerTDFN
• DMTH8012LPSQ-13，Diodes产品一站式供应商。