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还在为电路板上密密麻麻的分立电阻和晶体管而头疼吗？DRDPB26W-7这颗创新的预偏置PNP晶体管，专为解放您的设计而来。它将关键的基极偏置电阻（220欧姆和4.7千欧姆）和续流二极管直接集成在芯片内部，让您无需再为外围偏置电路费心，轻松实现电路的快速搭建与优化。

这颗芯片能为您做什么？它让您能够以极高的效率控制高达600mA的负载电流，其50V的耐压为您的小功率开关、接口保护或信号调理电路提供了宽裕的安全边际。超低的饱和压降（仅300mV）意味着更少的能量以热量的形式浪费，配合其SOT-363的超小封装，完美适配任何空间受限的便携式或高密度应用。选择它，就是选择了一种更简洁、更可靠、更省心的设计路径，让您的产品在性能和体积上双双赢得优势。

• 型号:DRDPB26W-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-363
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
• 描述:TRANS PREBIAS PNP 50V SOT363
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 晶体管类型:PNP - 预偏压 + 二极管
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:600 mA
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
• 包含电阻器:R1 和 R2
• 电阻器 - 基极 (R1):220 Ohms
• 电阻器 - 发射极 (R2):4.7 kOhms
• 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:47 @ 50mA，5V
• 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 2.5mA，50mA
• 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
• 频率 - 跃迁:200 MHz
• 功率 - 最大值:200 mW
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
• 供应商器件封装:SOT-363
• DRDPB26W-7，Diodes产品一站式供应商。