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DXTN3C60PS-13 零件图片(仅供参考)

DXTN3C60PS-13
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DXTN3C60PS-13 规格参数

还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗?DXTN3C60PS-13正是您期待的答案。这颗采用PowerDI506封装的低饱和压降功率晶体管,核心使命就是让您的系统运行得更“冷”、更“省”。它通过显著降低导通状态下的压降,将更多的电能高效输送至负载,而非浪费为热量,从而直接提升整体能效,让您的产品在能效比拼中脱颖而出。

它能让您轻松应对高电流开关应用的需求,无论是同步整流、电机驱动还是DC-DC转换。其紧凑的封装不仅节省了宝贵的电路板空间,更有助于简化散热设计,降低系统复杂性与总体成本。选择DXTN3C60PS-13,就是选择了一种更智能、更高效的功率管理方式,助您快速打造出性能强劲且可靠性极高的下一代电源解决方案。

  • 型号:DXTN3C60PS-13
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:PowerDI5060-8
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS NPN 60V 3A POWERDI5060-8
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):3 A
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):60 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):270mV @ 300mA,3A
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):200 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大值:2.25 W
  • 频率 - 跃迁:140MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-PowerTDFN
  • 供应商器件封装:PowerDI5060-8
  • DXTN3C60PS-13,Diodes产品一站式供应商。
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DXTN3C60PS-13 基本参数:

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