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MBR10150CTF-G1 零件图片(仅供参考)

MBR10150CTF-G1
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MBR10150CTF-G1 规格参数

还在寻找那颗能同时兼顾高效率、低损耗与高可靠性的整流核心吗?MBR10150CTF-G1就是为您而来的答案。这颗由Diodes Incorporated推出的150V/5A肖特基二极管阵列,以其仅为920mV@5A的超低正向压降,能显著减少您电源模块中的导通损耗,直接提升整体能效,让热量不再是设计的瓶颈。

它采用1对共阴极配置,集成度高,节省空间。快速的恢复速度(≤500ns)让它在高频开关电源中表现出色,有效降低开关噪声和损耗。同时,高达175°C的结温范围和卓越的散热封装(TO-220F),赋予了它强大的环境适应性和长期工作可靠性。选择它,能让您的产品轻松应对从工业驱动到通信电源的各种挑战,实现性能与稳定性的双重飞跃。

  • 型号:MBR10150CTF-G1
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-220F-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 二极管阵列
  • 描述:DIODE ARR SCHOT 150V 5A TO220F3
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • 二极管配置:1 对共阴极
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):150 V
  • 电流 - 平均整流 (Io)(每二极管):5A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):920 mV @ 5 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 A @ 150 V
  • 工作温度 - 结:175°C(最大)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装:TO-220F-3
  • MBR10150CTF-G1,Diodes产品一站式供应商。
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MBR10150CTF-G1 基本参数:

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