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MBRD835L-T 零件图片(仅供参考)

MBRD835L-T
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MBRD835L-T 规格参数

还在为电源转换效率不高、发热严重而烦恼吗?MBRD835L-T肖特基整流二极管正是为您破解这一难题的关键。它能在高达8A的电流下,将正向导通压降低至仅510mV,显著减少功率损耗和热量产生,让您的电源设计运行更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么?它以其快速的开关速度(≤500ns)和35V的反向耐压,确保在开关电源、DC-DC转换器等应用中实现干净利落的整流,有效抑制电压尖峰和噪声。采用紧凑的DPAK表面贴装封装,它让您能轻松实现高功率密度布局,简化生产流程。选择它,就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“能量心脏”。

  • 型号:MBRD835L-T
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:TO-252(DPAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SCHOTTKY 35V 8A TO252
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:肖特基
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):35 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):8A
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 8 A
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:1.4 mA @ 35 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 125°C
  • MBRD835L-T,Diodes产品一站式供应商。
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MBRD835L-T 基本参数:

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