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您正在寻找一颗能“默默耕耘”却至关重要的功率开关吗？MMBF170-7正是这样一位低调的实力派。它是一款N沟道MOSFET，核心使命就是为您高效、可靠地控制电路的通断。凭借60V的漏源电压和500mA的连续电流处理能力，它能轻松胜任各种中小功率的开关任务，无论是管理便携设备的电源路径，还是切换信号流向，都游刃有余。

这颗芯片的卓越之处在于其平衡的性能。仅需4.5V至10V的驱动电压即可实现低电阻导通，让您的控制电路设计更简单。超低的输入电容确保了快速的开关速度，而SOT-23-3的微型封装则为您节省宝贵的电路板空间。选择它，意味着您选择了一个经过验证的解决方案，让您的设计更加高效、紧凑且可靠。

• 型号:MMBF170-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:南皇电子 停止提供
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):500mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 200mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:40 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• MMBF170-7，Diodes产品一站式供应商。