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您正在寻找一颗既能精准稳压，又节省空间的高性能保护器件吗？MMBZ5225B-7-F正是为您而来！这颗来自Diodes的齐纳二极管，核心使命是在您的电路中建立一个坚固的3V电压“堤坝”。当电压意外飙升时，它能迅速动作，将电压箝位在安全值，有效保护后方昂贵的核心芯片免受浪涌、ESD等瞬态电压的损害。

它拥有±5%的高精度和仅30欧姆的动态阻抗，响应快速而精准。其微小的SOT-23-3封装让您能在紧凑的PCB布局中游刃有余，而宽达-65°C至150°C的工作温度范围，则让它能从容应对各种严苛环境。选择它，就是为您的设计选择了一份简单、高效且可靠的电压保护方案，让系统稳定性提升变得如此轻松。

• 型号:MMBZ5225B-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 3V 350MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):3 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):30 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 1 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5225B-7-F，Diodes产品一站式供应商。