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您是否在寻找一颗能精准“锁定”3.3V电压，为您的核心电路提供坚实保护的微型卫士？MMBZ5226BT-7-F正是这样一款高性能齐纳二极管。它能高效地将电压稳定在3.3V，容差精细至±5%，有效吸收电压尖峰和浪涌，为您的微控制器、传感器或接口芯片创造一个安全、纯净的工作环境。

这颗芯片能让您的设计更加可靠。其仅28欧姆的最大动态阻抗意味着电压更稳定，响应更迅速。同时，它拥有低至900mV的正向压降和微安级的反向泄漏电流，帮助您轻松优化系统能效。无论是应对-65°C的严寒还是150°C的高温，它都能稳定工作，让您的产品无惧各种环境挑战。

采用超小型的SOT-523表面贴装封装，它能轻松融入任何紧凑的电路板布局，为您节省宝贵的空间。选择MMBZ5226BT-7-F，就是为您的电子产品选择了一份由Diodes品质背书的稳定与高效。

• 型号:MMBZ5226BT-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-523
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 3.3V 150MW SOT523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):3.3 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:150 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):28 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:25 A @ 1 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:SOT-523
• 供应商器件封装:SOT-523
• MMBZ5226BT-7-F，Diodes产品一站式供应商。