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还在为电路板上的电压浪涌提心吊胆吗？MMBZ5226BTS-7-G正是您期待的解决方案。这颗来自Diodes的齐纳二极管阵列，专为瞬态电压抑制而生，它能迅速响应并钳位过压，像一位忠诚的卫士，保护您昂贵的核心IC免受静电放电和电压尖峰的侵害。

它采用超紧凑的SOT523封装，几乎不占用宝贵的PCB空间，让您能在空间受限的便携设备、接口电路中轻松集成可靠的保护功能。选择它，意味着您为产品选择了一份经过验证的稳定性，让设计更高效，让性能更安心。

• 型号:MMBZ5226BTS-7-G
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:-
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 齐纳二极管阵列
• 描述:DIODE ZENER SOT523
• 系列:*
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 配置:-
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):-
• 容差:-
• 功率 - 最大值:-
• 阻抗（最大值）(Zzt):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:-
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):-
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:-
• 封装/外壳:-
• 供应商器件封装:-
• MMBZ5226BTS-7-G，Diodes产品一站式供应商。