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还在寻找一颗能精准稳压、可靠保护电路的核心器件吗？MMBZ5238B-7-F齐纳二极管正是为您而来。它能在8.7V的电压点上提供稳定的基准，容差精细至±5%，让您的设计摆脱电压漂移的烦恼，确保信号处理与电源管理的精准度。

这颗芯片能为您做什么？它不仅仅是一个简单的二极管。其350mW的功率处理能力和低动态阻抗，让它可以高效地钳位过压，保护后方昂贵的集成电路。同时，其微安级的极低反向泄漏电流和稳定的正向压降特性，让您在设计低功耗、高效率的系统时更加得心应手。选择它，就是为您的产品选择了一份从-65°C到150°C全温区范围内的性能承诺。

• 型号:MMBZ5238B-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 8.7V 350MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):8.7 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):8 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 6.5 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5238B-7-F，Diodes产品一站式供应商。