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您是否在寻找一颗能精准锁定33V电压，并为电路提供坚实保护的微型卫士？MMBZ5257B-7-F正是为此而生。它能在复杂的电路环境中，高效地将电压稳定在您设定的目标值，无论是作为电压基准源还是瞬态抑制器，都能让您的系统运行得更平稳、更可靠。

这颗芯片集高精度（±5%容差）、低功耗（350mW最大值）和宽温工作（-65°C ~ 150°C）于一身。其SOT-23-3的超小封装让您轻松应对紧凑的PCB布局，而优异的电气特性则能显著降低系统功耗与噪声。选择它，就是为您的设计选择了一份从容与高效。

• 型号:MMBZ5257B-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 33V 350MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):33 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:350 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):58 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 25 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5257B-7-F，Diodes产品一站式供应商。