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您正在寻找一颗能精准锁定36V电压，同时兼顾高效能与高可靠性的核心保护器件吗？MMBZ5258BW-7-F齐纳二极管正是您的理想之选。它专为电压基准、过压保护和信号箝位等关键电路而设计，能以±5%的高精度维持稳定电压，其低至70欧姆的动态阻抗和卓越的温度特性，让您的系统在面对波动时依然稳如磐石。

这颗芯片能让您轻松应对各种设计挑战。其表面贴装的SOT-23-3封装节省宝贵空间，200mW的功率处理能力提供可靠保障，宽广的工作温度范围（-65°C ~ 150°C）确保它在极端环境下也能持续高效工作。无论是保护微处理器输入端口，还是为模拟电路提供稳定参考，MMBZ5258BW-7-F都能以出色的性能，让您的产品更具竞争力和可靠性。

• 型号:MMBZ5258BW-7-F
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
• 描述:DIODE ZENER 36V 200MW SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 电压 - 齐纳（标称值）(Vz):36 V
• 容差:±5%
• 功率 - 最大值:200 mW
• 阻抗（最大值）(Zzt):70 Ohms
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:100 nA @ 27 V
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• MMBZ5258BW-7-F，Diodes产品一站式供应商。