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MMDT5451-7 零件图片(仅供参考)

MMDT5451-7
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MMDT5451-7 规格参数

您正在寻找一颗能同时处理互补信号、节省板面空间且性能强劲的晶体管吗?MMDT5451-7正是您的理想之选。这颗双晶体管阵列在一个微小的SOT-363封装内,集成了一个NPN和一个PNP晶体管,让您轻松实现推挽输出、电平转换或信号放大等电路功能,极大简化了您的设计布局。

凭借高达160V/150V的击穿电压和300MHz的跃迁频率,它能为您的应用提供出色的电压处理能力和快速的开关响应。同时,其低饱和压降特性确保了高效的电能转换,减少不必要的功耗。无论是用于消费电子、工业控制还是通信设备,MMDT5451-7都能以紧凑的尺寸和可靠的性能,助您构建更高效、更稳定的系统。

  • 型号:MMDT5451-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 双极晶体管阵列
  • 描述:TRANS NPN/PNP 160V/150V SOT-363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:1 NPN,1 PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):160V,150V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):200mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):50nA(ICBO)
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V / 60 @ 10mA,5V
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 频率 - 跃迁:300MHz
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • MMDT5451-7,Diodes产品一站式供应商。
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MMDT5451-7 基本参数:

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