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MMSZ5235B-7-F 零件图片(仅供参考)

MMSZ5235B-7-F
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MMSZ5235B-7-F 规格参数

还在为电路中的电压基准不够精准而烦恼吗?MMSZ5235B-7-F齐纳二极管正是您期待的答案。它能为您提供高度稳定的6.8V基准电压,容差控制在±5%以内,让您的设计从一开始就建立在可靠的基础之上。

这颗芯片能轻松胜任电压钳位、稳压和瞬态保护等关键任务。其低至5欧姆的动态阻抗和微安级的反向泄漏电流,意味着它能高效工作,几乎不增加额外功耗,特别适合对能效有严苛要求的便携式设备。采用紧凑的SOD-123表面贴装封装,让您能更灵活地进行PCB布局,实现产品的小型化与高性能的统一。

  • 型号:MMSZ5235B-7-F
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOD-123
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 齐纳 > 单齐纳二极管
  • 描述:DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 电压 - 齐纳(标称值)(Vz):6.8 V
  • 容差:±5%
  • 功率 - 最大值:500 mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):5 Ohms
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:3 A @ 5 V
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):900 mV @ 10 mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-123
  • 供应商器件封装:SOD-123
  • MMSZ5235B-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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MMSZ5235B-7-F 基本参数:

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