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P6KE62A-B 零件图片(仅供参考)

P6KE62A-B
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P6KE62A-B 规格参数

还在为电路板上的敏感器件提心吊胆吗?P6KE62A-B就是您一直在寻找的瞬态电压抑制专家。它能瞬间吸收高达600W的峰值脉冲能量,将危险的电压尖峰(最高箝位至85V)迅速导走,如同为您的电路筑起一道坚固的防洪坝,确保核心IC和元器件在雷击、感性负载切换等突发浪涌下安然无恙。

这颗芯片能为您做什么?它让您的设计工作变得异常轻松。其53V的反向工作电压完美适配多种低压电路场景,从电源端口到数据线保护,都能高效覆盖。宽达-55°C至175°C的工作温度范围,意味着无论您的设备身处何方,它都能提供稳定可靠的保护。采用标准的DO-15轴向封装,兼容性极佳,让您能快速将其融入现有方案,显著提升产品可靠性与市场竞争力,而无需复杂的设计更改。

  • 制造商产品型号:P6KE62A-B
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:TVS DIODE 53V 85V DO15
  • 系列:TVS - 二极管
  • 产品系列:-
  • 零件状态:有源
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:1
  • 双向通道:-
  • 电压-反向断态(典型值):53V
  • 电压-击穿(最小值):58.9V
  • 不同Ipp时电压-箝位(最大值):85V
  • 电流-峰值脉冲(10/1000s):7.1A
  • 功率-峰值脉冲:600W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型:通孔
  • 封装:DO-204AC,DO-15,轴向
  • P6KE62A-B,Diodes产品一站式供应商。
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P6KE62A-B 基本参数:

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