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QZX363C6V8-7-F 零件图片(仅供参考)

QZX363C6V8-7-F
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QZX363C6V8-7-F 规格参数

还在为信号线路的过压保护设计而耗费精力吗?QZX363C6V8-7-F齐纳二极管阵列,就是您高效解决这一难题的利器。它能为您多条关键信号线(如数据线、GPIO)提供精准的6.8V电压箝位保护,有效抵御ESD静电和电压浪涌的冲击,让您的核心芯片运行更安全。

这颗芯片采用紧凑的SOT-363封装和2对共阳极的集成设计,让您轻松实现高密度板级布局,显著节省空间。其优异的性能参数,如±5%的精准容差、低至15欧姆的动态阻抗以及宽广的工作温度范围,共同确保了在各种应用环境下稳定可靠的保护效果。选择它,就是为您的产品可靠性增添了一枚重要的砝码。

  • 制造商产品型号:QZX363C6V8-7-F
  • 制造商:Diodes Incorporated(美台半导体)
  • 描述:DIODE ZENER ARRAY 6.8V SOT363
  • 系列:二极管 - 齐纳 - 阵列
  • 零件状态:有源
  • 配置:2 对共阳极
  • 电压-齐纳(标称值)(Vz):6.8V
  • 容差:±5%
  • 功率-最大值:200mW
  • 阻抗(最大值)(Zzt):15 Ohms
  • 不同Vr时电流-反向泄漏:2A @ 4V
  • 不同If时电压-正向(Vf):900mV @ 10mA
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • QZX363C6V8-7-F,Diodes产品一站式供应商。
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QZX363C6V8-7-F 基本参数:

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