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SBR02M30LP-7 零件图片(仅供参考)

SBR02M30LP-7
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SBR02M30LP-7 规格参数

还在为便携设备那“转瞬即逝”的续航而头疼吗?SBR02M30LP-7超级势垒整流器,正是为您破解这一难题而生。它采用Diodes先进的SBR技术,在仅200mA的工作电流下,就能将正向压降牢牢控制在610mV的超低水平,大幅削减导通损耗,把每一分电力都高效输送给核心电路,让您的产品续航表现脱颖而出。

这颗芯片能为您做什么?它让您在极其紧凑的0402封装内,获得30V反向耐压和超低漏电流的可靠保障。无论是为TWS耳机、智能手环进行高效整流,还是在手机、物联网模块中实现精准的电源路径管理,它都能稳定胜任,有效降低系统发热,提升整体可靠性。选择SBR02M30LP-7,就是为您的设计注入一颗高效的“能量心脏”,轻松实现更小体积、更长续航、更高性能的完美平衡。

  • 型号:SBR02M30LP-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SBR 30V 200MA X1DFN10062
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:超级势垒
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):30 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):200mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):610 mV @ 200 mA
  • 速度:小信号 =\< 200mA(Io),任意速度
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 nA @ 30 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 175°C
  • SBR02M30LP-7,Diodes产品一站式供应商。
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SBR02M30LP-7 基本参数:

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