我们为全球各个行业提供Diodes SBR02U30LP-7现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能显著提升您便携设备能效的“节能芯”吗？SBR02U30LP-7正是您期待的答案。它采用先进的超级势垒整流技术，在200mA电流下仅产生480mV的超低正向压降，让您的电路损耗大幅降低，从而轻松延长电池续航时间，提升整体系统效率。

这颗芯片能为您做什么？它让您在小巧的0402封装内，获得30V反向耐压和卓越的整流性能。无论是用于IoT传感器的信号处理，还是可穿戴设备的电源路径管理，其超低漏电流和快速响应特性都能确保系统高效、稳定地运行。选择SBR02U30LP-7，就是为您的设计注入一股强劲而高效的“芯”动力。

• 型号:SBR02U30LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:X1-DFN1006-2
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 30V 200MA X1DFN10062
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:30 V
• 电流 - 平均整流 (Io):200mA
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):480 mV @ 200 mA
• 速度:小信号 =\< 200mA（Io），任意速度
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 30 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:0402（1006 公制）
• 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
• SBR02U30LP-7，Diodes产品一站式供应商。