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SBR05U20LP-7 零件图片(仅供参考)

SBR05U20LP-7
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SBR05U20LP-7 规格参数

还在为如何在小巧的设备中实现高效电源转换而烦恼吗?让SBR05U20LP-7来为您解决难题!这颗采用超级势垒整流技术的芯片,专为追求极致效率与紧凑设计的您而生。

它能在高达500mA的电流下,仅产生500mV的低正向压降,大幅降低导通损耗,让您的电池能量得到更充分的利用,显著延长设备续航。同时,其快速恢复特性和低至50A的反向漏电流,确保了系统在高频工作下的稳定与高效,有效减少不必要的能量浪费和热积累。

采用微型0402表面贴装封装,SBR05U20LP-7让您能轻松应对最苛刻的电路板空间限制,轻松集成到各类便携式电子产品中,是实现高效、紧凑电源设计的理想选择。

  • 型号:SBR05U20LP-7
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:X1-DFN1006-2
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
  • 描述:DIODE SBR 20V 500MA X1DFN10062
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:超级势垒
  • 电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):20 V
  • 电流 - 平均整流 (Io):500mA
  • 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):500 mV @ 500 mA
  • 速度:快速恢复 =\< 500ns,\> 200mA(Io)
  • 反向恢复时间 (trr):-
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 20 V
  • 不同Vr、F 时电容:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:0402(1006 公制)
  • 供应商器件封装:X1-DFN1006-2
  • 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
  • SBR05U20LP-7,Diodes产品一站式供应商。
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SBR05U20LP-7 基本参数:

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