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还在寻找一颗能同时兼顾高效率与高可靠性的整流方案吗？SBR1A400P1-7正是为您而生的答案。它基于先进的SBR技术，让您能以仅1.1V的超低正向压降处理1A的持续电流，并轻松抵挡400V的高压冲击，从而大幅降低导通损耗和温升，直接提升您整个电源系统的效率。

这颗芯片的快速恢复特性（反向恢复时间仅85ns）能有效减少开关噪声，让您的EMI滤波设计更简单，系统运行更安静稳定。采用小巧的PowerDI123表面贴装封装，它不仅为您节省宝贵的电路板空间，其优异的散热性能更能确保在紧凑和高密度设计中长期可靠工作。选择SBR1A400P1-7，就是为您的产品选择了一份高效与安心的保障。

• 型号:SBR1A400P1-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 123
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 400V 1A POWERDI 123
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:400 V
• 电流 - 平均整流 (Io):1A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):85 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 400 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:POWERDI123
• 供应商器件封装:PowerDI 123
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
• SBR1A400P1-7，Diodes产品一站式供应商。