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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、小体积和快速响应的整流解决方案吗？SBR1U40LP-7正是为您而来的答案。它采用先进的超级势垒整流（SBR）技术，在1A电流下仅产生490mV的超低正向压降，能显著降低您电源路径上的导通损耗，直接将更多电能转化为有效输出，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效整流与保护。其高达40V的反向耐压和快速恢复特性（<500ns），确保在开关电源等应用中有效管理电压尖峰，提升系统整体稳定性。同时，其微型的3-DFN封装（1.4x1.1mm）为您节省宝贵的电路板空间，是追求高功率密度设计的理想选择。选择SBR1U40LP-7，就是选择了一种更智能、更高效的能源管理方式。

• 型号:SBR1U40LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:DFN1411-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 40V 1A DFN1411-3
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:40 V
• 电流 - 平均整流 (Io):1A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):490 mV @ 1 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:50 A @ 40 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:3-UDFN
• 供应商器件封装:DFN1411-3
• 工作温度 - 结:-65°C ~ 150°C
• SBR1U40LP-7，Diodes产品一站式供应商。