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还在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性和易用性的功率整流芯片吗？SBR2065D1-13正是您期待的答案。它采用先进的超级势垒整流技术，在20A大电流下仅产生630mV的超低正向压降，能显著降低导通损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更节能，直接提升终端产品的续航与性能表现。

这颗芯片专为严苛环境而生，通过AEC-Q101车规认证，确保在汽车电子等应用中稳定可靠。其65V耐压和20A载流能力，足以轻松应对工业电源、通信设备等高要求场景。采用标准的TO-252表面贴装封装，让您能够高效完成PCB布局与自动化生产，大幅缩短开发周期，是您打造下一代高效能产品的理想核心器件。

• 型号:SBR2065D1-13
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 65V 20A TO2523
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:65 V
• 电流 - 平均整流 (Io):20A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):630 mV @ 20 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:400 A @ 65 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
• SBR2065D1-13，Diodes产品一站式供应商。