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在追求电源效率的竞赛中，每一毫伏的压降都至关重要。SBR8E20P5-7超级势垒整流二极管，正是为您赢得这场竞赛而生的利器。它能在处理高达8A电流时，将正向压降低至惊人的450mV，大幅减少导通损耗，直接为您带来更低的温升和更高的系统效率。

这颗采用先进PowerDI5封装的芯片，让您轻松实现高功率密度设计。其20V的反向耐压和优异的漏电流控制，确保了在各种工作条件下的稳定与可靠。无论是用于同步整流、OR-ing功能还是普通的整流应用，SBR8E20P5-7都能让您的电源设计更高效、更紧凑，助您轻松提升产品性能与市场竞争力。

• 型号:SBR8E20P5-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 5
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 20V 8A POWERDI5
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:20 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):450 mV @ 8 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:500 A @ 20 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:PowerDI 5
• 供应商器件封装:PowerDI 5
• 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
• SBR8E20P5-7，Diodes产品一站式供应商。