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还在寻找能显著提升电源效率的“关键先生”吗？SBR8E60P5-7超级势垒整流器正是您期待的答案。它采用先进的SBR技术，在8A电流下仅产生530mV的超低正向压降，能大幅降低导通损耗，直接转化为更低的发热和更高的系统效率，让您的产品在能效竞赛中脱颖而出。

这颗芯片能为您做什么？它让您轻松应对高达60V电压、8A电流的整流需求，特别适用于对效率和空间都极为敏感的应用。其紧凑的PowerDI5表面贴装封装，不仅节省电路板空间，还优化了散热路径，是实现高功率密度设计的理想选择。无论是提升现有方案的性能，还是开发新一代高效能产品，SBR8E60P5-7都是您可靠而强大的伙伴。

• 型号:SBR8E60P5-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:PowerDI 5
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 60V 8A POWERDI5
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:60 V
• 电流 - 平均整流 (Io):8A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):530 mV @ 8 A
• 速度:标准恢复 \>500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):-
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:580 A @ 60 V
• 不同Vr、F 时电容:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:PowerDI 5
• 供应商器件封装:PowerDI 5
• 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
• SBR8E60P5-7，Diodes产品一站式供应商。