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还在寻找那颗能显著提升电源效率的“关键先生”吗？SBRT4M30LP-7超级势垒整流器正是为您而来。它能在高达4A的电流下，将正向压降低至仅510mV，这意味着更低的导通损耗和发热，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级，运行起来更加凉爽安静。

这颗芯片采用先进的TrenchSBR技术，不仅提供30V的反向耐压，其快速恢复特性（trr仅30ns）更能有效降低高频开关应用中的损耗。紧凑的U-DFN3030-8表面贴装封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时提供出色的散热性能。选择它，就是为您的产品注入了高效与可靠的核心动力。

• 型号:SBRT4M30LP-7
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:U-DFN3030-8
• 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
• 描述:DIODE SBR 30V 4A U-DFN3030-8
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:超级势垒
• 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:30 V
• 电流 - 平均整流 (Io):4A
• 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):510 mV @ 4 A
• 速度:快速恢复 =\< 500ns，\> 200mA（Io）
• 反向恢复时间 (trr):30 ns
• 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 30 V
• 不同Vr、F 时电容:150pF @ 30V，1MHz
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-PowerUDFN
• 供应商器件封装:U-DFN3030-8
• 工作温度 - 结:-55°C ~ 150°C
• SBRT4M30LP-7，Diodes产品一站式供应商。