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还在为电路板空间紧张和信号驱动效率而烦恼吗？UMG4N-7这颗预偏置双NPN晶体管阵列，就是为您量身打造的空间与性能优化大师。它内部集成了偏置电阻，让您无需额外元件即可轻松构建稳定的小信号放大或开关电路，极大简化了您的设计工作，节省了宝贵的PCB面积。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的便携设备、传感器模块或消费电子产品的信号处理部分运行得更高效、更可靠。凭借100mA的驱动能力、50V的耐压以及高达250MHz的响应速度，它能精准、快速地处理各类控制与放大任务。同时，其超低的饱和压降有助于减少能量损耗，让您的产品整体能效表现更加出色。

• 制造商产品型号：UMG4N-7
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT353
• 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置
• 零件状态：有源
• 晶体管类型：2 个 NPN 预偏压式（双）
• 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
• 电压-集射极击穿（最大值）：50V
• 电阻器-基极(R1)：10 千欧
• 电阻器-发射极(R2)：-
• 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：100 @ 1mA，5V
• 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 1mA，10mA
• 电流-集电极截止（最大值）：-
• 频率-跃迁：250MHz
• 功率-最大值：150mW
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
• UMG4N-7，Diodes产品一站式供应商。