您正在寻找一颗能轻松驾驭60V电压、却只需微小空间的高效开关吗?VN10LFTC正是您的理想之选!这颗N沟道MOSFET拥有150mA的连续漏极电流能力,能以低至5V的驱动电压迅速响应,其最大仅5欧姆的导通电阻,确保信号或功率传输过程中的损耗降至最低,让您的电路运行更加高效、冷静。
它采用经典的SOT-23-3表面贴装封装,极其节省PCB空间,非常适合集成到便携设备、传感器接口或电池保护等紧凑型应用中。宽广的工作温度范围(-55°C ~ 150°C)让它无惧严苛环境挑战,提供持久稳定的性能。选择VN10LFTC,就是为您的设计选择了一颗经过时间考验的、可靠而精巧的“心脏”。
- 型号:VN10LFTC
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):150mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):5 欧姆 @ 500mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):60 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):330mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- VN10LFTC,Diodes产品一站式供应商。