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还在为高压、小电流的精准开关控制寻找解决方案吗？ZVN0540ASTOB正是为您而来的答案。这颗N沟道MOSFET拥有高达400V的击穿电压，却能以低至10V的栅极电压轻松驱动，让您的微控制器或逻辑电路直接、高效地控制高压回路，彻底告别复杂的电平转换设计。

它专为毫安级电流的精密应用优化，在100mA电流、10V驱动下导通电阻典型值优异，能显著降低开关损耗和发热。其经典的TO-92兼容封装，让您无论是原型制作还是批量生产，都能轻松焊接与安装。选择它，就是选择了一种让高压侧设计变得简单、可靠且高性价比的智慧。

• 制造商产品型号：ZVN0540ASTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 400V 90MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：400V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：90mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：50 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：70pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• ZVN0540ASTOB，Diodes产品一站式供应商。