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还在寻找一颗能轻松驾驭高压、却只需微小电流的“灵巧”开关吗？ZVN0545GTA正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有高达450V的耐压能力，却能以仅140mA的电流安静高效地工作，专为那些需要高电压隔离或信号切换，但功率不大的应用场景量身定制。

它能让您的设计事半功倍。仅需10V驱动电压和低至3V的开启门槛，让您用最常见的MCU引脚就能直接控制，省去额外的驱动电路，让PCB布局更简洁，BOM成本更低。其表面贴装的SOT-223封装，体积小巧，节省宝贵的板级空间，同时提供高达2W的散热能力，确保稳定运行。

无论是智能家电的待机电源管理、工业控制板的信号通路选择，还是LED照明驱动中的辅助开关，ZVN0545GTA都能以出色的可靠性，守护您系统的安全与高效，让复杂的高压控制变得如此简单直接。

• 型号:ZVN0545GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 450V 140MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:450 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):140mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:70 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN0545GTA，Diodes产品一站式供应商。