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您正在寻找一颗能轻松驾驭350V高压平台，同时保持精准、低功耗控制的开关器件吗？ZVN2535ASTOA正是为此而生。这颗N沟道MOSFET能高效地为您完成高压侧的信号切换、电平转换或隔离驱动任务，其仅90mA的连续电流和优异的开关特性，让它在小功率辅助电源、传感器接口等应用中表现出色。

它采用经典的TO-92兼容封装，让您的原型设计和生产焊接都变得轻松简单。高达700mW的功率耗散能力和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），确保了它在各种环境下都能稳定可靠地工作，有效提升您最终产品的耐用性和市场竞争力。

• 制造商产品型号：ZVN2535ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 350V 90MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：350V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：90mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：35 欧姆 @ 100mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：70pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• ZVN2535ASTOA，Diodes产品一站式供应商。