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还在寻找一颗能完美平衡性能与尺寸的功率开关吗？ZVN4206GTA正是为您而来！这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和1A的连续电流能力，让您在设计电源、驱动电机或控制负载时信心十足。

它采用紧凑的SOT-223封装，却提供了高达2W的散热能力，轻松应对空间受限的应用。更令人心动的是，其5V的低驱动电压能让您直接连接微控制器，大幅简化电路设计，提升整体系统的响应速度与可靠性。选择它，就是选择高效与安心。

• 型号:ZVN4206GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVN4206GTA，Diodes产品一站式供应商。