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还在寻找一颗能兼顾高压性能与微型封装的“全能型”开关器件吗？ZVN4525E6TA正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有250V的高耐压和230mA的驱动能力，却精巧地栖身于SOT-23-6封装内，让您能在极其有限的空间内实现高效、可靠的电源切换或信号控制。

它凭借低至2.4V的驱动门槛和出色的开关特性，让您轻松设计驱动电路，显著提升系统能效与响应速度。无论是用于消费电子还是工业控制，它都能在宽温范围内稳定工作，是您打造紧凑、高效、可靠产品的理想核心元件。

• 型号:ZVN4525E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:72 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZVN4525E6TA，Diodes产品一站式供应商。