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还在为高压、小电流的开关控制寻找一颗“得力干将”吗？ZVN4525E6TC正是为您而来！这颗由Diodes Incorporated出品的N沟道MOSFET，拥有250V的高耐压和230mA的连续电流能力，专为高效、可靠的小功率开关应用而设计。

它能让您的设计工作变得无比轻松。极低的驱动门槛（阈值电压仅1.8V）意味着您可以直接用微控制器轻松驱动，省去额外的驱动电路。其超快的开关速度和低栅极电荷，能显著提升系统效率，降低功耗与发热。无论是用于电源管理、信号切换还是负载控制，它都能让您的产品运行更稳定、响应更迅捷。

采用紧凑的SOT-23-6封装，它为您节省宝贵的电路板空间，是空间敏感型应用的绝佳选择。选择ZVN4525E6TC，就是选择了一种高效、简洁且可靠的解决方案，助您轻松攻克设计难关。

• 型号:ZVN4525E6TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 230MA SOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):230mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.4V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8.5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.65 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±40V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:72 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZVN4525E6TC，Diodes产品一站式供应商。