还在寻找一颗能同时兼顾大电流与低损耗的开关管吗？ZXMN3A04KTC正是为您而来的解决方案。作为一款30V/18.4A的N沟道MOSFET，它能让您的电源转换电路、电机驱动或负载开关设计变得异常高效和可靠。
这颗芯片能为您做什么？它就像一个反应迅速、损耗极低的“电子阀门”，轻松控制高达18.4安培的电流通断。其优化的特性让您在提升系统整体效率的同时，有效降低发热，简化散热设计。选择它，就是为您的产品选择了一份强劲而稳定的动力核心。
- 型号:ZXMN3A04KTC
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-252-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Ta）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 12A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1890 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:2.15W（Ta）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252-3
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- ZXMN3A04KTC，Diodes产品一站式供应商。
