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您正在设计需要高压侧功率控制的电路吗？ZVP0120ASTOA正是为您而来。这颗由Diodes Incorporated推出的P沟道MOSFET，拥有高达200V的耐压和110mA的连续电流能力，能让您轻松、安全地切换和控制高压信号路径，显著简化您的电路设计。

它采用经典的E-Line（TO-92兼容）通孔封装，便于手工焊接和原型制作。在10V驱动电压下，其导通电阻典型值优异，能有效降低导通损耗，提升整体能效。无论是用于工业控制、电源管理中的高压开关，还是其他需要P-MOSFET作为负载开关的场合，它都能提供稳定可靠的性能，让您的产品运行更高效、更持久。

• 制造商产品型号：ZVP0120ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 200V 110MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：110mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：32 欧姆 @ 125mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：100pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• ZVP0120ASTOA，Diodes产品一站式供应商。