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还在为高压侧开关电路寻找一颗小巧又强大的“心脏”吗？ZVP1320ASTOA正是您期待的解决方案。这颗P沟道MOSFET拥有高达200V的漏源电压耐受能力，让您在设计电源管理、接口保护或信号切换电路时，能够从容应对高压挑战，确保系统安全无虞。

它专为高效控制而生。仅需10V的驱动电压即可实现高效导通，70mA的连续电流处理能力足以应对多种小功率控制场景。其经典的TO-92兼容封装，让您能轻松集成到现有设计中，大大简化了布局与焊接流程。选择它，就是为您的产品选择了一份历经考验的可靠性与设计上的高自由度。

• 制造商产品型号：ZVP1320ASTOA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 200V 70MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：70mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：80 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：50pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：625mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• ZVP1320ASTOA，Diodes产品一站式供应商。