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还在为高压、小电流的电路控制寻找一颗“恰到好处”的开关吗？ZVP1320FTC正是为您而来！这颗P沟道MOSFET拥有200V的高耐压能力，能轻松应对各种需要高压隔离或信号切换的场合，而其仅35mA的连续漏极电流和低至3.5V的开启电压，让它特别擅长于电池供电设备或低功耗模块中的高效电源管理。

它采用微小的SOT-23-3封装，能极大节省您的电路板空间，让设计更紧凑、更优雅。高达150°C的工作结温确保了它在严苛环境下的稳定表现。选择它，就是为您的产品选择了一份可靠的保障与高效的控制解决方案。

• 型号:ZVP1320FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 欧姆 @ 50mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZVP1320FTC，Diodes产品一站式供应商。