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还在为复杂的功率开关设计而烦恼吗？ZVP2106GTA为您提供简洁而强大的解决方案。这颗P沟道MOSFET能让您轻松实现高效的电路通断与控制，其60V的耐压和450mA的连续电流能力，足以应对大多数中小功率场景的严苛要求。

它最大的魅力在于极高的易用性。仅需10V驱动电压，您就能获得优异的导通性能，大大简化了外围驱动电路的设计。同时，紧凑的SOT-223封装让您能在有限的空间内布局，而宽达-55°C至150°C的工作温度范围，则确保了产品在各种环境下都能稳定可靠地运行。选择ZVP2106GTA，就是选择了一条通往高效、紧凑且可靠设计的捷径。

• 型号:ZVP2106GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):450mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVP2106GTA，Diodes产品一站式供应商。