我们为全球各个行业提供Diodes ZVP2106GTC现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的电源开关设计头疼吗？让ZVP2106GTC来简化您的工作！这颗P沟道MOSFET是您实现高效、紧凑型电路设计的秘密武器。它能轻松胜任高达60V电压下的开关任务，以450mA的驱动能力，让您精准控制负载通断，显著提升系统能效。

得益于其低至10V的驱动门限和优化的动态特性，ZVP2106GTC让您的设计响应更迅捷，功耗更低。无论是用于电池供电设备的电源路径管理，还是信号隔离切换，它都能在极宽的温度范围内稳定工作，确保您的产品性能持久可靠。选择它，就是为您的项目注入一份高效与安心。

• 型号:ZVP2106GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 450MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):450mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 欧姆 @ 500mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 18 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZVP2106GTC，Diodes产品一站式供应商。