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还在寻找一颗能轻松驾驭高压侧开关任务的可靠“守门员”吗？ZVP2120ASTOB正是为您而来。这颗P沟道MOSFET拥有高达200V的漏源击穿电压，让您在设计离线电源、工业控制或通信接口时，面对高压环境依然信心十足，轻松实现高效、安全的电路通断控制。

它采用经典的TO-92兼容封装，布局灵活，节省空间。仅需10V的栅极驱动电压，即可实现低导通电阻，配合120mA的连续电流能力，确保信号切换干净利落，功耗更低。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）更能适应严苛环境，让您的产品在各种挑战下都保持稳定表现，显著提升整体可靠性。

• 制造商产品型号：ZVP2120ASTOB
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET P-CH 200V 120MA E-LINE
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：P 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：200V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：120mA（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：100pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：700mW（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：E-Line（TO-92 兼容）
• ZVP2120ASTOB，Diodes产品一站式供应商。