还在寻找一颗能轻松驾驭高压侧开关任务的“得力干将”吗?ZVP2120ASTZ正是为您而来!这颗P沟道MOSFET拥有高达200V的漏源电压耐受能力,让您在设计电源电路、负载开关或信号切换时底气十足,轻松应对各种高压环境挑战。
它的核心价值在于高效与易用。仅需10V的驱动电压即可实现低阻抗导通,最大120mA的连续漏极电流足以应对多种控制场景。这意味着它能帮助您的系统显著降低开关损耗,提升整体能效,同时简化的驱动电路也让您的设计更紧凑、成本更优化。无论是用于节能设备还是需要可靠隔离的模块,它都能让您的产品性能更上一层楼。
- 型号:ZVP2120ASTZ
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:TO-92
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 200V 120MA TO92-3
- 系列:-
- 包装:带盒(TB)
- 产品状态:最后售卖
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):25 欧姆 @ 150mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):100 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):700mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-92
- 封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- ZVP2120ASTZ,Diodes产品一站式供应商。