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ZVP3306FTC 零件图片(仅供参考)

ZVP3306FTC
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ZVP3306FTC 规格参数

还在为复杂的电路板布局和有限的功率预算头疼吗?让ZVP3306FTC来为您分忧!这颗P沟道MOSFET是您进行高效信号切换与电源管理的得力助手。它能在高达60V的电压下,以90mA的电流稳定工作,凭借其低至14欧姆的导通电阻和10V的低驱动电压,显著降低开关损耗和系统功耗,让您的设计更节能、更高效。

它采用超小的SOT-23-3表面贴装封装,能轻松融入任何紧凑的空间,极大简化您的PCB布局。宽广的-55°C至150°C工作温度范围,确保了它在各种严苛环境下的卓越可靠性。无论是用于便携设备的负载开关、电源路径管理,还是信号隔离,ZVP3306FTC都能让您以极简的设计,实现稳定可靠的性能,助您轻松应对产品开发中的功率控制挑战。

  • 型号:ZVP3306FTC
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):14 欧姆 @ 200mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):50 pF @ 18 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):330mW(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • ZVP3306FTC,Diodes产品一站式供应商。
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ZVP3306FTC 基本参数:

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