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您正在寻找一颗既能承受高压挑战，又能在紧凑空间内游刃有余的开关解决方案吗？ZVP3310FTA正是为您而来。这颗P沟道MOSFET拥有高达100V的漏源电压，却仅采用微型的SOT23-3封装，让您能在便携设备、电池保护板等空间受限的应用中，轻松实现高效、可靠的电源切换与负载控制。

它能在10V的标准驱动电压下高效工作，最大导通电阻低至20欧姆，确保开关过程损耗最小。同时，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）和仅330mW的功率耗散，赋予了产品卓越的环境适应性与稳定性。选择ZVP3310FTA，就是选择了一个让设计更简单、让产品更耐用的高效路径。

• 型号:ZVP3310FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:50 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:330mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZVP3310FTA，Diodes产品一站式供应商。