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ZXGD3104N8TC 零件图片(仅供参考)

ZXGD3104N8TC
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ZXGD3104N8TC 规格参数

还在为如何高效、可靠地驱动功率MOSFET而烦恼吗?ZXGD3104N8TC栅极驱动器芯片正是为您解决这一核心挑战而设计。它集强大的驱动能力(7A拉电流/2.5A灌电流)、宽范围供电电压(5V-25V)以及非反相输入逻辑于一身,让您能够轻松驾驭从服务器电源到工业电机驱动的各类应用。

这颗芯片能为您做什么?它能显著提升开关速度,其典型的50ns快速下降时间能有效降低开关损耗,从而让您的电源系统运行更高效、更凉爽。同时,其高达150°C的结温工作能力和灵活的驱动配置,确保了系统在苛刻环境下的极致可靠性。选择ZXGD3104N8TC,就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且易于设计的心脏。

  • 型号:ZXGD3104N8TC
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:8-SO
  • 类目:集成电路(IC) > 电源管理(PMIC) > 栅极驱动器
  • 描述:IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 驱动配置:高压侧,低压侧
  • 通道类型:单路
  • 驱动器数:1
  • 栅极类型:MOSFET(N 沟道)
  • 电压 - 供电:5V ~ 25V
  • 逻辑电压- VIL,VIH:-
  • 电流 - 峰值输出(灌入,拉出):2.5A,7A
  • 输入类型:非反相
  • 高压侧电压 - 最大值(自举):-
  • 上升/下降时间(典型值):480ns,50ns
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装:8-SO
  • ZXGD3104N8TC,Diodes产品一站式供应商。
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ZXGD3104N8TC 基本参数:

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