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还在为空间有限的电路板寻找一颗强劲又高效的“开关心脏”吗？ZXM61N03FTA正是为您而来！这颗N沟道MOSFET能在30V电压下稳定通过1.4A电流，其核心魅力在于极低的220毫欧导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它拥有快速的开关特性（栅极电荷仅4.1nC）和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），无论是用于便携设备的电源管理、电机驱动，还是高效的DC-DC转换，都能让您轻松实现高效、可靠的控制。采用标准的SOT-23-3封装，易于焊接和自动化生产，是您提升产品性能与性价比的明智之选。

• 型号:ZXM61N03FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 910mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXM61N03FTA，Diodes产品一站式供应商。