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还在为电路板上的空间捉襟见肘，却又需要可靠的功率开关而发愁吗？ZXM61N03FTC正是为您解忧的利器。这颗N沟道MOSFET能在仅SOT-23-3大小的身躯里，为您提供高达30V的电压耐受和1.4A的电流处理能力，让您在紧凑设计中依然能实现高效的能量控制。

它的核心价值在于高效与易用。仅需4.5V至10V的驱动电压，配合低至220毫欧的导通电阻，它能显著降低开关损耗，提升系统整体能效，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。无论是用于电源管理、电机驱动还是信号切换，ZXM61N03FTC都能让您轻松实现稳定、快速的控制，简化您的设计挑战。

• 型号:ZXM61N03FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 910mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXM61N03FTC，Diodes产品一站式供应商。