我们为全球各个行业提供Diodes ZXM61P02FTA现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间有限的电路板寻找一颗高效、可靠的功率开关吗？ZXM61P02FTA正是为您量身打造的解决方案。这颗来自Diodes的P沟道MOSFET，拥有20V的耐压和900mA的连续电流能力，能轻松胜任负载开关、电源路径管理等关键任务。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（仅600毫欧@4.5V）和超小的SOT-23-3封装。这意味着它能在显著降低导通损耗、提升系统能效的同时，为您节省宝贵的PCB空间。更低的栅极电荷让驱动变得异常简单，帮助您简化电路设计，加速产品开发周期。

无论是便携设备、消费电子还是各类需要高效电源控制的场景，ZXM61P02FTA都能让您的设计更紧凑、运行更凉爽、续航更持久。选择它，就是选择了一份省心与高效。

• 型号:ZXM61P02FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.7V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 610mA，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.5 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:150 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXM61P02FTA，Diodes产品一站式供应商。